报告人简介：

周武，2006年清华大学本科毕业，2010年获美国Lehigh大学材料科学博士学位，曾任美国橡树岭国家实验室研究员。现为中国科学院大学物理科学学院研究员。先后获得美国橡树岭国家实验室Eugene  P. Wigner Fellowship，中组部青年千人计划，中科院百人计划，自然科学基金委优秀青年基金支持。长期从事低电压球差校正扫描透射电子显微学及功能纳米材料研究。主要研究的材料体系包括二维材料，异相催化剂，以及电池材料等。在Nature，Nature子刊，PRL等学术期刊上发表论文80余篇，引用5000余次。

报告摘要：

二维材料的结构缺陷和物理性质之间的内在联系是当前二维材料研究中的基本科学问题之一。球差校正电镜技术的发展已经使得低电压扫描透射电子显微镜（STEM）能够在原子分辨率及单原子分析灵敏度上对材料进行成像及能谱分析，为在原子尺度研究二维材料的缺陷物理提供了新的分析手段。

在这个报告中，我将介绍我们近几年利用低电压球差校正扫描透射电子显微学方法在二维半导体材料研究中所做的一些工作，包括利用STEM图像来定量测量二维半导体内化学掺杂浓度及掺杂原子的空间分布[1]；利用电子束在二维半导体材料内可控制备新型纳米结构[2,3]；以及探索在纳米尺度利用单色电子能量损失谱对二维材料在红外光区的吸收特性进行实验测量。

[1] Y. Gong et al., Nano Letters 14 (2014), p. 442

[2] J. Lin et al., Nature Nanotech. 9 (2014), p.436

[3] K. Yin et al., 2D Materials 4 (2017), 011001