报告人简介：

高鹏，北京大学物理学院研究员，博士生导师，北京大学电子显微镜实验室副主任。2005年在中国科学大学获得物理学学士学位，2010年在中国科学院物理研究所获得凝聚态物理学博士学位，2010-2015年间在美国密歇根大学、美国布鲁克海文国家实验室、日本东京大学从事博士后研究工作。从研究生期间开始一直从事透射电子显微学相关的研究，主要包括：（1） 晶体材料的表面、界面、缺陷结构；（2）外场下的结构相变；（3）固态离子迁移动力学过程等。共发表论文48篇，累计引用1300多次，其中包括10篇Nature子刊和1篇Science。曾获中科院宝洁奖、优秀毕业生奖，中科院物理所所长优秀奖、表彰奖等，曾入选日本振兴学会（JSPS）外国人特别研究员，中组部“青年千人计划”。 

报告摘要： 

  Ferroelectrics thin films have numerous applications including high-density and non-volatile memories, acoustic devices, and sensors. We study the ferroelectric thin films by using various electron microscopy techniques. (1) In situ biasing and indentation TEM techniques are used to study the domain switching dynamics. Domain nucleation, domain wall relaxation, structural defects pinning, and ferroelastic domain wall mediated ferroelectric switching are directly observed. (2) Quantitative annular bright field (ABF) imaging is used to measure the structural relaxation and polarization distribution at the surface, interface, and defects with picometer precision. We find that the structure of polar boundaries strongly relies on the polarization orientation and thus the screen mechanisms are revealed.