报 告 题目:二维新型半导体中的电子能谷特性
报 告 人:曾华凌教授,中国科学技术大学
时 间:2017年4月7日(星期五),下午2:00
地 点:南楼3层会议室
邀 请 人:刘新风 研究员(Tel:82545778)
报告人简介:
国家第十一批“青年千人计划”入选者,中国科学技术大学教授。
2002年9月- 2006年7月,中国科学技术大学,物理系,获光信息科学与技术专业理学学士学位
2006年9月- 2008年8月,香港大学,获凝聚态物理专业理学硕士学位
2008年9月- 2011年9月,香港大学,获凝聚态物理专业理学博士学位
2011年10月
2013年11月
2015年12月
报告摘要:
物质材料伴随着体系维度的降低往往会衍生出新的特性,呈展出丰富的物理现象,并带来新奇可观测及操控的量子态。作为新兴超薄半导体出现的二维六族过渡金属硫化物,除了具有区别于块体材料的直接能隙,在其第一布里渊区里还存在着简并但不等价的分立能谷。由于体系中空间反演对称性的破缺,在这些能谷里,电子及空穴具有着非零且相反的轨道磁矩以及贝里曲率,提供了利用外场对能谷自由度进行量子调控的前提。在这个报告里,将对二维六族过渡金属硫化物的优异光学性质以及相关的能谷电子学发展进行介绍,并对其未来的潜在发展方向做一探讨。