题 目:高性能绝缘栅薄膜晶体管的设计与物性研究
报告人:廖蕾教授,武汉大学物理科学与技术学院
时 间:2016年5月27日(星期五),下午15: 00
地 点:南楼2层会议室
邀请人:江潮研究员(Tel:82545583)
摘要:
晶体管是科学技术史中最重要的发明之一,是所有光电器的关键基础元件。薄膜晶体管是一种典型的绝缘栅场效应晶体管,现已应用在人造皮肤、柔性显示、射频标签和人体传感等众多领域。现有的薄膜晶体管一直是以低成本为主要特征,而低的迁移率限制了柔性薄膜晶体管在更为高端层次上的应用。因此,实现低成本、高性能的薄膜晶体管,将会大大拓宽其应用领域。为此寻找性能更加优良的半导体材料体系尤为重要。由于二维2D材料是单原子层晶体,本征迁移率很高,所以二维2D材料的出现给薄膜晶体管带来了新的思路。但是由于其表面缺乏悬挂键,直接沉积介电材料非常困难,常常会在界面产生缺陷,从而造成载流子的散射,所以在研制二维材料晶体管的过程中,晶体管的界面控制对晶体管性能的影响至关重要。
报告人简介:
廖蕾男,博士,武汉大学教授。2004年,获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位;2009年,获武汉大学物理学院材料物理与化学专业博士学位。其间,2005年11月至2007年7月在中国科学院物理研究所联合培养,2007年10月至2009年1月赴新加坡南洋理工大学开展合作研究。2009年4月至2011年7月,在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作,2011年7月份加入武汉大学物理学院,任职教授。作为第一作者和通讯作者在Nature、PNAS、Nano Lett.、Adv. Mater.、JACS、ACS Nano等杂志上发表SCI论文50余篇,被邀请在Mater. Sci. & Eng. R, Mater. Today, Nano Today撰写综述多篇。所有论文被他引用4800多次,H因子42。获批2015年中组部青年拔尖人才, 2012年国家自然科学优秀青年基金,湖北省自然科学一等奖(排名第二),Scopus青年科学之星,教育部新世纪优秀人才。