报告人：黄丰（中山大学物理科学与工程技术学院）

　　题目：纳米材料的热力学研究及其在半导体材料生长中的应用

　　时间：2015年12月9日（星期三），上午10：00

　　地点：纳米中心南楼二层会议室 

　　邀请人：谢黎明研究员 

　　摘要： 

　　1、纳米基础热力学和纳米动力学研究：首次阐明了界面效应(吸附和聚集)对纳米晶结构的决定性影响，揭示了几类新纳米相转变模型。拓展纳米热力学研究深度：实验验证了存在热力学稳定的纳米体系和负界面自由能现象。

　　2、宽禁带半导体材料与器件：发明了一种利用化学势原理来降低晶体中有害杂质和缺陷的水热生长新方案，可一次性批量生长出近百片尺寸为1-2英寸的ZnO和Ga：ZnO单晶，纯净和掺镓单晶最大尺寸均已超过两英寸。成功制成首个探测截止边达到208nm 的AlN深紫外探测器。利用单晶研究光催化机制生长出厘米级、具有最高空穴迁移率的宽禁带半导体CuI单晶。生长出高阻alpha-HgI2的厘米级单晶，证实其具有高灵敏的X射线探测特性。